Samsung, daha süratli yapay zeka eğitimi ve çıkarımı için yüksek kapasiteli HBM3E belleğini tanıttı. Samsung HBM3E 12H DRAM olarak isimlendirilen belleği, gelişmiş TC NCF teknolojisi ile birlikte geldi. Belleğin ismindeki HBM, “yüksek bant genişliği belleği” manasına geliyor. Pekala öbür ayrıntıları neler?
Samsung HBM3E 12H DRAM belleği teknik özellikleri
Ekim ayında Samsung, pin başına 9.8Gbps (ve paket başına 1.2 terabayt) elde edebilen HBM’nin üçüncü kuşağının geliştirilmiş bir versiyonu olan HBM3E Shinebolt’u tanıttı.
Belleğin ismindeki 12H, her bir modülde dikey olarak pozisyonlandırılmış yongaların sayısını temsil ediyor. Samsung bu sayede 8H dizaynına kıyasla belleğin boyutunu %50 artırarak 36 GB’ya ulaştı. Lakin, bant genişliği 1.2 terabayt/saniye olarak kalır.
Gelelim TC NCF teknolojisine. Bu, dikey pozisyonlandırılmış yongalarının ortasına yerleştirilen materyalin ismi. Samsung, bunu daha ince hale getirmek için çalıştı ve boyutunu 7µm’ye kadar indirmeyi başardı.
TC NCF’nin ek bir yararı, soğutmayı güzelleştirmeye yardımcı olan gelişmiş termal özelliklere sahip olması. Daha da düzgünü, Samsung HBM3E 12H DRAM’da kullanılan yol, verimliliği de artırıyor.
Peki bu bellek ne için kullanılacak? Natürel ki de yapay zekâ için. Bildiğiniz üzere yapay zeka modelleri çok fazla RAM gerektiriyor. Geçen yıl Nvidia, yüksek bant genişliği belleği tedarikçileri listesine Samsung’u da ekledi.
Şimdi de şirket bunun için harekete geçmiş görünüyor. Siz HBM3E hakkında ne düşünüyorsunuz? Niyetlerinizi yorumlar kısmından bizlerle paylaşmayı lütfen unutmayın.
